在2019年全球电子行业整体进入了周期向上的通道之中，而其中的原因我们认为主要是三大驱动力：消费电子、通信、以及数据中心，三大板块同时共振复苏所带来的。
半导体：全球半导体景气上行拐点已经确立，我们认为行业拐点出现的逻辑为需求回升（消费电子、通信及数据中心）、产能利用率（晶圆、封测和存储）提升，推动报价上涨（存储、CIS-TSV等），同步带动原材料提升，未来资本开支力度增加拉升设备投资需求。目前看，存储价格在2020年1月有望提前上涨，半导体月度销售数据已摆脱萎靡之势，晶圆、封测产能利用率提升，资本开支在明年迎来回暖。
5G手机：5G手机放量元年，预期出货量达到2.5~3亿部。根据IDC预测，今年5G手机出货量为670万部，份额仅为0.5%。到2023年，5G手机出货量将达到整体手机出货量的26%。各家5G芯片供应商纷纷加足马力备货，我们预计2020年全球5G手机出货量为2.5-3亿部。联发科、高通、三星电子及海思等5G芯片供应商，都不断要求上、下游协力厂大举扩充产能，并有效拉高公司内外的库存水平。
可穿戴：可穿戴放量袭来，今年的TWS只是起点，智能手表放量同样值得重视。可穿戴设备有望迎来全系列爆发。根据trendfore数据，2019年全球智能手表出货量为6263万块，同比增长43%。2020年，预计Apple Watch仍然会高速增长，三星、小天才等老牌产品出货量也较快增长的同时，以华为Watch GT2、荣耀Magic Watch2、小米等为代表的品牌新智能手表在快速提升。我们预计智能手表有望引领新一轮消费电子热潮。
面板：供需反转进度超预期.（1）10.5代线推动平均尺寸提升加速的逻辑基础上，110寸片等超大尺寸的商显产品有望通过技术突破进入平价化，需求端增长有望超预期；（2）韩国关厂确定性不断增强，Q3法说会上三星表示加快推进QD-OLED商业化、LGD表述调整P7、P8产能，预计未来三年韩国会加快推出产能；（3）受液晶进口设备增值税政策变动影响，未来行业新进入者难度加大。
铜箔：铜价上涨，铜箔、CCL、PCB涨价有望持续传导，深度渗透。随着铜价在19年12月份开始的涨价，我们同样观察到PCB、CCL的上游原材料铜箔同样价格上涨。而CCL龙头之一的建滔同样决定在12月11日起上调其覆铜板产品的销售单价。我们认为随着铜价的上涨，而铜又是铜箔、CCL、PCB的主要原材料之一的情况下，价格传导至CCL已得到初步验证，而未来有望实现价格传导的深度渗透。同时5G所带来的景气向上，我们认为PCB的涨价及5G行情将继续向前。
元器件：受益于需求提升，电容、电感行业产能供给逐渐过渡到紧张。2020Q1，MLCC供给预计略紧张，价格有望上涨5~10%。电容今年行业产能利用率持续提升，逐渐过渡到局部型号供给紧张格局。电感方面，5G智能手机电感用量比4G增长了20~25%，且元器件尺寸需要持续微缩，价值量有所提高。电感行业的稼动率提升明显，目前行业产能均为满载。
风险提示：下游需求不及预期。
半导体：全面景气可期！
全球半导体景气上行拐点已经确立，我们认为行业拐点出现的逻辑为需求回升（消费电子、通信及数据中心）、产能利用率（晶圆、封测和存储）提升，推动报价上涨（存储、CIS-TSV等），同步带动原材料提升，未来资本开支力度增加拉升设备投资需求。目前看，存储价格在2020年1月有望提前上涨，半导体月度销售数据已摆脱萎靡之势，晶圆、封测产能利用率提升，资本开支在明年迎来回暖。
存储：价格反转进度超预期，涨价有望提前
存储涨价进度超预期。DRAM合约价在2018年9月之后持续下行，之前集邦咨询对于DRAM和NAND涨价预期为2020Q2开始反转，目前看反转进度超预期，有望在2020年1月出现上涨趋势。预期DRAM价格在2020Q1迎来返弹，2020Q2全面复苏。
19Q3，DRAM市场回暖超预期。8~12GB的智能手机新机型带动效应明显，数据中心采购逐渐回暖，服务器需求有望在19Q4延续，预计DRAM整体库存去化加快。2020年，5G终端将进入增长周期，带动换机需求并提升DRAM用量。明年智能手机平均容量将从4GB提升至5GB。从海力士2019Q3财报来看，DRAM价格在环比下降16%，跌幅较上个季度收窄。
数据的爆炸增长是存储成长的核心抓手，而数据的成长来源是设备连接数以及设备产生数据量的增长。数据量的增长将同步带动数据处理能力——对应DRAM需求、和数据存储量——对应NAND Flash需求的成长。
需求端的增长溯本求源是数据的爆炸增长。需求端反映在19Q4及2020年的中短期里的具体应用，包括数据中心建设的新一轮复苏带动CPU、DRAM，移动端扩容带动DRAM和NAND的增长，PC端SSD的快速渗透带动DRAM。
云计算巨头资本开支回暖，带动半导体需求共振！云计算巨头厂商产能利用率已经从18Q2的衰退中逐渐恢复，19Q2财报时英特尔、西数、三星等已预期19H2需求会逐渐回暖。主要数据中心厂商资本开支将在19H2回暖明显，并带动包括CPU、DRAM、HDD和FLASH等逐渐增长。
智能手机消耗35%的DRAM Bit，消耗40%的NAND Bit。因此，移动端扩容的幅度和持续性是存储需求增长的长期动力。2019年将迎来智能手机创新大年，5G促进移动端存储进一步提升，移动端需求将迎来出货量和单机容量的双重提升！预计明年高端手机DRAM平均增长至5GB，NAND增长至100GB以上！
智能手机内存增长的趋势将持续保持。高端手机/旗舰手机主要搭载4GB或6GB，入门机主要搭载2GB。根据IHS，2019年智能手机平均存储消耗量为3.27GB，比2018年提升0.39GB。海力士在19Q3财报预计高端智能手机平均DRAM消耗量在2020年将达到5GB，5G升级将带动内存消耗进一步提高。